石墨烯是第一個(gè)真正的二維材料，在不斷增長的二維材料中，它仍然表現(xiàn)最顯著的傳輸特性。雖然許多研究已經(jīng)探索了基本的散射過程，但在實(shí)驗(yàn)中確定的電阻變化仍然是一個(gè)懸而未決的問題。在此，我們利用掃描隧道電位法定量研究了聚合物輔助升華生長石墨烯的局部傳輸特性。這些樣品表現(xiàn)出空間均勻的電流密度，從而可以高精度分析局部電化學(xué)勢(shì)的變化。我們利用這種可能性，通過檢查局部薄層電阻，發(fā)現(xiàn)了在低溫下高達(dá)270%的顯著變化，從而確定了薄層電阻與6H碳化硅襯底的堆疊順序，以及石墨烯與襯底之間距離的相關(guān)性。我們的結(jié)果通過實(shí)驗(yàn)量化了石墨烯-基底相互作用對(duì)石墨烯局部傳輸性能的影響。
Fig. 1 室溫下的電流密度和局部薄層電阻的評(píng)估。
Fig. 2 薄層電阻隨溫度的變化。
Fig. 3單階和雙階的階高分析。
Fig. 4 S2和S3上局部缺陷結(jié)構(gòu)分析。
相關(guān)研究成果于2020年由哥廷根Georg-August-Universität物理研究所Martin Wenderoth課題組，發(fā)表在Nature Communications (https://doi.org/10.1038/s41467-019-14192-0)上。原文：Substrate induced nanoscale resistance variation in epitaxial graphene
