吉倉低溫石墨烯生長系統
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吉倉納米科技有限公司根據多年生長石墨烯膜的經驗研發出的低溫石墨烯生長系統，可實現500~800℃低溫生長。吉倉納米可以提供石墨烯膜的生長培訓。
吉倉低溫石墨烯生長系統配有Plasma實現等離子增強，滑軌式設計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環境下，得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調裝置，可準確的控制反應腔體內部的氣體壓力，帶刻度的調節閥對于做低壓CVD非常簡單實用，工藝重復性好，對于石墨烯生長工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。
開啟式真空管式爐 JC-1200C-SL-PECVD
爐管尺寸：外徑φ100（可選）
加熱元件:電阻絲（Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo）
加熱區長度：440mm
恒溫區長度: 200mm（±1℃）
工作溫度：1100℃
最高溫度：1200℃
控溫方式：模糊PID控制和自整定調節，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能
控溫精度:±1℃
升溫速度：20度/分鐘
爐門結構：開啟式
工作電源：AC220V /50HZ
額定功率:3KW
射頻電源
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信號頻率 |
13.56 MHz±0.005% |
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功率輸出范圍 |
5W-500W |
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最大反射功率 |
200W |
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射頻輸出接口 |
50 Ω, N-type, female |
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功率穩定度 |
±0.1% |
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諧波分量 |
≤-50dbc |
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供電電壓 |
單相交流（187V-253V） 頻率50/60HZ |
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整機效率 |
>=70% |
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功率因素 |
>=90% |
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冷卻方式 |
強制風冷 |
壓力真空表：－0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/
供氣系統（品牌： JCNO）
GMF-3Z
連接頭類型：雙卡套不銹鋼接頭。
標準量程（N
2)：50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar）；
準確度：±1.5%
線性：±0.5～1.5%
重復精度：±0.2%
響應時間：氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec
工作壓差范圍：0.1～0.5 MPa
最大壓力：3MPa
接口：Φ6,1/4''mm
顯示：液晶觸摸屏控制，無紙記錄。
工作環境溫度:5~45高純氣體
內外雙拋衛生級不銹鋼管：316L，Φ6mm
低真空機組（品牌： JCNO）VAU-02
技術參數：
空氣相對濕度≤85%，
工作電電壓：220V±10% 50~60HZ
功率：1千瓦
抽氣速率：4L\s
極限真空：4X10-2Pa
實驗真空度：1.0X10-1Pa
容油量：1.1L
進氣口口徑：KF25
排氣口口徑：KF25
轉速：1450rpm
噪音：50dB
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